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第二代CoolSiC MOSFET G2 750V -
工业级与车规级碳化硅功率器件
第二代750V CoolSiC MOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术，在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。该器件在图腾柱、有源中性点钳位（ANPC）、维也纳整流器和飞跨电容（FCC）等硬开关拓扑中表现卓越。更值得注意的是，第二代产品显著降低了输出电容（Coss），使其在循环变流器、CLLC、双有源桥（DAB）和LLC等软开关拓扑中能实现更高频率的开关操作。
第二代CoolSiC MOSFET 750V完美适用于对可靠性、功率密度和效率有严格要求的应用，包括：车载充电机、DC-DC变换器、DC-AC逆变器，以及人工智能服务器、光伏逆变器和电动汽车充电设备。其采用的Q-DPAK封装既能充分发挥碳化硅固有的高速开关特性，同时确保约20W的功率耗散能力。
产品型号：
■AIMDQ75R016M2H
■AIMDQ75R025M2H
■AIMDQ75R060M2H
■IMDQ75R004M2H
■IMDQ75R007M2H
■IMDQ75R016M2H
■IMDQ75R025M2H
■IMDQ75R060M2H
产品特点
100%雪崩测试验证
业界领先的RDS(on)× Qfr
优异的RDS(on)× Qoss和RDS(on)× QG表现
低Crss/Ciss和高VGS(th)
采用.XT扩散焊
配备驱动源极引脚
应用价值
鲁棒性和可靠性提升
硬开关效率卓越
开关频率更高
抗寄生导通能力出色
行业领先的散热性能
开关损耗显著降低
竞争优势
通过100%雪崩测试，专为汽车与工业应用设计
扩展负栅极驱动电压范围（-7V至-11V）
增强型热性能(高达200℃)
FOM较上一代产品提升20-35%
高VGS(th)+ low Crss/Ciss=0V零伏可靠关断
增强型热性能(高达200℃)
应用领域
工业应用场景：
■固态继电器与隔离器
■固态断路器
■电动汽车充电
■光伏
■不间断电源系统UPS
■储能系统ESS
■电池化成
■电信基础设施AC-DC电源转换
■服务器电源单元PSU
汽车电子应用：
■高低压DC-DC变换器
■车载充电OBC
■断路器
高压电池开关
交直流低频开关
高压电子熔断器
